GaN系パワーエレクトロニクス開発に向けた表面界面分析

パワー半導体への利用として有望なSiCやGaNを用いて高い信頼性の高性能パワーデバイスの実現を目指して、表面絶縁膜形成のその観察や界面構造の精密化学状態分析を行いました。

【論文】J. Phys. Chem. C 124 (2020) 25282. Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) SMMA07. Jpn. J. Appl. Phys. 58 (2019) SCCD08. Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 06KA02. APEX 9 (2016) 105801. APEX 9(2016) 101002.